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领先的硅片生产技术
一流的质量管理模式
提供世界水平的产品
连续不断的质量改进
超出顾客预想的服务
训练有素的人力资源
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 MCL产品规格： |
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参数 |
100mm |
125mm |
150mm |
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生长方法 |
直拉 |
直拉 |
直拉 |
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掺杂剂 |
P，P+；硼 |
P，P+；硼 |
P，P+；硼 |
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N，N+；磷，锑 |
N，N+；磷，锑 |
N，N+；磷，锑 |
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晶向 |
1-0-0，+/-1degree |
1-0-0，+/-1degree |
1-0-0，+/-1degree |
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1-1-1，+/-1degree |
1-1-1，+/-1degree |
1-1-1，+/-1degree |
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1-1-0，+/-1degree |
1-1-0，+/-1degree |
1-1-0，+/-1degree |
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参考面晶向 |
+/-0.5degree |
+/-0.5degree |
+/-0.5degree |
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电阻率 |
P:>/=0.001 |
P:>/=0.001 |
P:>/=0.001 |
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N:磷>/=0.01 |
N:磷>/=0.01 |
N:磷>/=0.01 |
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锑>/=0.008 |
锑>/=0.008 |
锑>/=0.008 |
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电阻率径向梯度(RRG) |
P,P+:6%(C-1/2R) |
P,P+:6%(C-1/2R) |
P,P+:6%(C-1/2R) |
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P,P+:8%(C-6mm) |
P,P+:8%(C-6mm) |
P,P+:8%(C-6mm) |
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N,N+(1-0-0):8%(C-1/2R) |
N,N+(1-0-0):8%(C-1/2R) |
N,N+(1-0-0):8%(C-1/2R) |
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N,N+(1-0-0):12%(C-6mm) |
N,N+(1-0-0):12%(C-6mm) |
N,N+(1-0-0):12%(C-6mm) |
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N(1-1-1):18%(C-1/2R) |
N(1-1-1):18%(C-1/2R) |
N(1-1-1):18%(C-1/2R) |
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N(1-1-1):22%(C-6mm) |
N(1-1-1):22%(C-6mm) |
N(1-1-1):22%(C-6mm) |
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N+(1-1-1):20%(C-1/2R) |
N+(1-1-1):20%(C-1/2R) |
N+(1-1-1):20%(C-1/2R) |
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N+(1-1-1):35%(C-6mm) |
N+(1-1-1):35%(C-6mm) |
N+(1-1-1):35%(C-6mm) |
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氧含量 |
目标值+/-1.5ppm |
目标值+/-1.5ppm |
目标值+/-1.5ppm |
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氧范围 |
12-19ppm(New ASTM) |
12-19ppm(New ASTM) |
12-19ppm(New ASTM) |
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氧径向梯度(ORG) |
5%Max |
5%Max |
5%Max |
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碳含量 |
0.5ppma Max |
0.5ppma Max |
0.5ppma Max |
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体金属含量 |
5*1010个/cm3 Max |
5*1010个/cm3 Max |
5*1010个/cm3 Max |
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表面金属含量 |
5*1010个/cm2 Max |
5*1010个/cm2 Max |
5*1010个/cm2 Max |
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位错 |
无 |
无 |
无 |
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氧化层错(OISF) |
P:50/cm2 Max |
P:50/cm2 Max |
P:50/cm2 Max |
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N:100/cm2 Max |
N:100/cm2 Max |
N:100/cm2 Max |
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直径控制 |
目标值+/-0.2mm |
目标值+/-0.2mm |
目标值+/-0.2mm |
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总平整度 |
3.0 Microns Max |
3.0 Microns Max |
3.0 Microns Max |
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总厚度变化 |
6.0 Microns Max |
6.0 Microns Max |
6.0 Microns Max |
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局部平整度(20*20 100%) |
2.0 Microns Max |
2.0 Microns Max |
2.0 Microns Max |
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翘曲度 |
30 Microns Max |
30 Microns Max |
30 Microns Max |
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弯曲度 |
30 Microns Max |
30 Microns Max |
30 Microns Max |
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厚度 |
目标值+/-15Microns |
目标值+/-15Microns |
目标值+/-15Microns |
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正面粒子数 |
0.2Microns 20Max/Wafer |
0.2Microns 20Max/Wafer |
0.2Microns 10Max/Wafer |
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0.3Microns 10Max/Wafer |
0.3Microns 10Max/Wafer |
0.3Microns 10Max/Wafer |
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0.5Microns 1 Max/Wafer |
0.5Microns 1 Max/Wafer |
0.5Microns 1 Max/Wafer |
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硅片正面缺陷 |
无 |
无 |
无 |
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硅片背面 |
酸腐蚀(无机械损伤) |
酸腐蚀(无机械损伤) |
酸腐蚀(无机械损伤) |
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SBSD(无雾) |
SBSD(无雾) |
SBSD(无雾) |
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激光刻字 |
硬激光标记 |
硬激光标记 |
硬激光标记 |
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制造周期 |
16天 |
16天 |
16天 |
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晶棒:8天 |
晶棒:8天 |
晶棒:8天 |
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抛光片:8天 |
抛光片:8天 |
抛光片:8天 |
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